什么是内存时序
是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。
一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
延伸阅读
内存条时序怎么看性能
内存时序并不是主要性能参数。首先内存的主要性能参数有内存带宽和内存容量。而根据内存带宽的计算公式，内存带宽=内存频率×位宽÷8×2，所以内存带宽的大小由内存频率和位宽决定。内存容量是与内存带宽一样重要的性能参数。理论上是越大越好。实际上看自己需求。至于内存时序，是在内存频率一致的情况下，通过比较才有参考意义。同样的频率，内存时序越小越好。事实上，内存频率越大，内存时序就会越大，二者是一个水涨船高的关系。
内存的时序应该怎么看
答:内存条的时序查看步骤如下，1.首先现在有两条内存条,这两条内存条的容量和频率都相同,就可以看内存条的时序了,这个时候就可以说时序越低,就越好,就好比,一条CL14,一条CL16,那么肯定就是CL14好。
2.其次一般需要给自己电脑加内存条的时候需要先看看自己的电脑原装是DDR几,比如说DDR4比DDR3好很多。
3.最后例如8G加8这里显示的是内存8g的容量。一般运行内存,都会先看容量为多少。特别是需要再装一条的时候,一定要看清楚本身电脑的是多少容量的,外加的时候要选相同的内存即可。
时序对内存影响多少
时序对内存影响如下：时序的变化对内存寿命的影响很微小，但是频繁变化的时序，会改变内存的稳定性。而且超时序不加压也对内存没有什么影响，加压会有些影响，但只要别超过1.6V一般没有问题。内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。内存时序越小越好，内存频率越高，延时越小，这个延时其实是每个时钟周期的时间，内存时序可以理解为内存数据的读写时间，内存时序的单位就是时钟周期。
比如ddr2 800，每个时钟周期的延时是2.5纳秒，当将ddr2 800超频至ddr1000时，每时钟周期延时是2纳秒，这样超频对内存体质是一个考验。
内存时序是什么意思
内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。
第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
内存四个时序分别是什么
答：内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。
内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，这四个代号全是缩写。
第一个CL即CAS Latency，它描述的是内存列地址访问的延迟时间，这也是时序中最重要的参数；
第二个tRCD，即RAS to CAS Delay，是指内存行地址传输到列地址的延迟时间；
第三个tRP，即RAS Precharge Time，表示内存行地址选通脉冲预充电时间；
第四个tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的时间。
什么是内存的时序
内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
